氮化硅薄膜窗格

SHNTI的X-射线薄膜窗能够实现软X-射线（如真空紫外线）的zui大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软（能量越低），穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作（即薄膜与光束成一定角度）时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。
SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅（0-250MP）薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线（上海光源透射成像/能谱线站）、TEM、SEM、IR、UV等。
现在SHNTI可以提供X-射线显微成像/能谱（同步辐射）用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下：
外框尺寸 （4种标准规格）:

5 mm x 5 mm （窗口尺寸：1.0 mm 或和 1.5 mm 方形）

7.5 mm x 7.5 mm （窗口尺寸：2.0 mm 或 2.5 mm）

10 mm x 10 mm （窗口尺寸：3.0 mm 或 5 mm 方形）

边框厚度： 200μm、381μm、525μm。 
Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm
SHNTI也可以为用户定制产品（30-500nm），但要100片起订。

本产品为一次性产品，SHNTI不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。

氮化硅薄膜窗口系列
SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm 
SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm 
SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm
SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm
SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm
SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口阵列系列
SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2阵列，膜厚：50nm
SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列；膜厚：50nm  
SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 
氧化硅薄膜窗口系列
SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm 
SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：50nm 
SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：100nm
SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口系列
SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm 
SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm 
SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
特殊定制产品
SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm 
SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm 
SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张，10×10mm切片 

衬底厚度：200um 温度范围：1000℃ 真空适应：1个大气压
厚度可以选择：200um，381um，525um，需要提前说明。

：

：admin@shnti.com